FDC3601N中文资料双 N 沟道，100V 指定 PowerTrench® MOSFET，1.0A，500mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDC3601N规格书详情
描述 Description
这些N沟道100V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件经过专门设计，能在极小的空间内实现优异的功率耗散，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用。
特性 Features
•1.0 A，100 V
•RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 10 V
•RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = -6V
•低栅极电荷（3.7nC，典型值）
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8封装小72%）；薄型（1mm厚）
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDC3601N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：1
- PD Max (W)
：0.96
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：3.7
- Ciss Typ (pF)
：153
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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