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FDB8878

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =14mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

文件:330.75 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDB8878

N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET 30V, 48A, 14mOhm

文件:272.18 Kbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDB8878

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 30V, 48A, 14mOhm

ONSEMI

安森美半导体

FDC8878

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 8.0 A, 16 m廓

文件:256.16 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8878

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:240.87 Kbytes 页数:12 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8878

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m ohm

文件:405.26 Kbytes 页数:12 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    FDB8878

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
25+
D2PAK(TO-263)
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TO-263(D2PAK)
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to-263d2-pak
45000
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FAIRCILD
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TO-263
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更多FDB8878供应商 更新时间2026-1-17 13:16:00