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T8132NL	文件：95.5 Kbytes Page：2 Pages	8X2LINECOMMONMODECHOKESDesignedforQuadPortT1/E1Applications	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
T8132NL	文件：253.49 Kbytes Page：2 Pages	8x2LINECOMMONMODECHOKES	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
TA8132	文件：692.74 Kbytes Page：20 Pages	3VAM/FMIFMPX(FORDIGITALTUNINGSYSTEM)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8132AF	文件：692.74 Kbytes Page：20 Pages	3VAM/FMIFMPX(FORDIGITALTUNINGSYSTEM)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8132AF	文件：1.4517 Mbytes Page：21 Pages	3VAM/FMIFMPX(ForDigitalTuningSystem)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8132AN	文件：1.4517 Mbytes Page：21 Pages	3VAM/FMIFMPX(ForDigitalTuningSystem)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8132AN	文件：692.74 Kbytes Page：20 Pages	3VAM/FMIFMPX(FORDIGITALTUNINGSYSTEM)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TDA8132	文件：43.02 Kbytes Page：4 Pages	5.1V12VDISABLEVOLTAGEREGULATOR DESCRIPTION TheTDA8132isamonolithicdualpositivevoltageregulatordesignedtoprovidefixedprecisionoutputvoltagesof5.1Vand12Vatcurrentsupto1A. EachoutputcanbedisabledseparatelybyaTTLinput. Shortcircuitandthermalprotectionsareincluded. ■OutputCurrentsupto1	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TPC8132	文件：265.99 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOS)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8132	文件：1.024819 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
FDB8132
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
*
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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