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LMC6035

LMC603x2.7V,Low-Power,Single-Supply,CMOSOperationalAmplifiers

1Features •Typicalunlessotherwisenoted •LMC6035inDSBGApackage •Specified2.7V,3V,5V,and15Vperformance •Specifiedfor2kΩand600Ωloads •Wideoperatingrange:2.0Vto15.5V •Ultra-lowinputcurrent:20fA •Rail-to-railoutputswing –At600Ω:200mVfromeitherrailat2.7

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMC6035IBP

LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMC6035IBPX

LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMC6035IM

LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMC6035IM

LMC6035/LMC6035-Q1/LMC6036LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperational

TI1Texas Instruments

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LMC6035IM/NOPB

LMC6035/LMC6035-Q1/LMC6036LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMC6035IM/NOPB

LMC603x2.7V,Low-Power,Single-Supply,CMOSOperationalAmplifiers

1Features •Typicalunlessotherwisenoted •LMC6035inDSBGApackage •Specified2.7V,3V,5V,and15Vperformance •Specifiedfor2kΩand600Ωloads •Wideoperatingrange:2.0Vto15.5V •Ultra-lowinputcurrent:20fA •Rail-to-railoutputswing –At600Ω:200mVfromeitherrailat2.7

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMC6035IMM

LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMC6035IMM

LMC6035/LMC6035-Q1/LMC6036LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperational

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMC6035IMM

LMC6035/LMC6035-Q1/LMC6036LowPower2.7VSingleSupplyCMOSOperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments

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详细参数

  • 型号:

    FDB6035AL_Q

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDB6035AL_Q供应商 更新时间2025-7-26 14:01:00