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FCP099N65S3	文件：921.02 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel SuperFET MOSFET 文件：921.02 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FCP099N65S3	文件：318.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FCP099N65S3	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，Easy Drive，650 V，30 A，99 mΩ，TO-220 SuperFET® III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new\nhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing\ncharge balance technology for outstanding low on-resistance\nand lower gate charge performance. This advanced technology\nis tailored to minimize conduction loss, provide superior\ • 700 V @ TJ = 150 oC\n• Higher system reliability at low temperature operation\n• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 61 nC)\n• Lower switching loss\n• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 544 pF)\n• Lower switching loss\n• Optimized Capacitance\n• Lower peak Vds and lower Vgs oscillati;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FCPF099N65S3	文件：244.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FCPF099N65S3	文件：899.8 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel SuperFET MOSFET 文件：899.8 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVB099N65S3	文件：267.41 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Automotive, Easy Drive 文件：267.41 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
650
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
4.5
ID Max (A)：
30
PD Max (W)：
227
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
99
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
61
Ciss Typ (pF)：
2480
Package Type：
TO-220-3

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