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IRFS9N60APBF	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS9N60ATRL	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS9N60ATRLPBF	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS9N60ATRLPBFA	文件：223.37 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS9N60ATRR	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS9N60ATRRPBF	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS9N60ATRRPBFA	文件：223.37 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFSL9N60A	文件：131.31 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL9N60A	文件：234.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamic dV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSDirective200	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFSL9N60A	文件：261.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFETs FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdv/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
FCD9N60NTM
功能描述：
MOSFET 600V N-Channel SupreMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FCD9N60NTM供应商更新时间2025-5-29 14:14:00

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