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IRF22N60	文件：383.33 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRFP22N60K	文件：445.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.28Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP22N60K	文件：150.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EnhancedBodyDiodedV/dtCapability •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N60K	文件：172.39 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications •HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch •SwitchM	IRF International Rectifier	IRF
IRFP22N60K	文件：228.65 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent •EnhancedbodydiodedV/dtcapability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N60KPBF	文件：150.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EnhancedBodyDiodedV/dtCapability •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP22N60KPBF	文件：175.95 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications •HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch •SwitchM	IRF International Rectifier	IRF
IXFC22N60P	文件：237.05 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC22N60P	文件：323.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH22N60P	文件：301.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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详细参数

型号：
FCA22N60N
功能描述：
MOSFET 600V N-Channel SupreMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FCA22N60N供应商更新时间2025-7-26 9:24:00

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