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IRFB16N60L	文件：149.87 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB16N60LPBF	文件：182.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFB16N60LPBF	文件：195.94 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB16N60LPBF	文件：2.71112 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IXFP16N60	文件：295.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=470mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXSA16N60	文件：48.39 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSP16N60	文件：48.39 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXZR16N60	文件：169.47 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET VDSS=600V ID25=18A RDS(on)≤0.56Ω PDC=350 LowCapacitanceZ-MOSTMMOSFETProcess OptimizedforRFOperation IdealforClassC,D,&EApplications Features •IsolatedSubstrate −highisolationvoltage(>2500V) −excellentthermaltransfer −Incre	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXZR16N60A	文件：169.47 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET VDSS=600V ID25=18A RDS(on)≤0.56Ω PDC=350 LowCapacitanceZ-MOSTMMOSFETProcess OptimizedforRFOperation IdealforClassC,D,&EApplications Features •IsolatedSubstrate −highisolationvoltage(>2500V) −excellentthermaltransfer −Incre	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXZR16N60B	文件：169.47 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET VDSS=600V ID25=18A RDS(on)≤0.56Ω PDC=350 LowCapacitanceZ-MOSTMMOSFETProcess OptimizedforRFOperation IdealforClassC,D,&EApplications Features •IsolatedSubstrate −highisolationvoltage(>2500V) −excellentthermaltransfer −Incre	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SCT16N60FD	文件：361.22 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SCT16N60P	文件：373.36 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SFF16N60NC	文件：332.36 Kbytes Page：2 Pages	16.5AMP/600Volts0.40ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
SIHFB16N60L	文件：182.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFB16N60L	文件：2.71112 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SW16N60K	文件：777.67 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-220FMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TK16N60W	文件：432.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK16N60W	文件：255.12 Kbytes Page：10 Pages	SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
FCA16N60N
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
卷带（TR）
描述：
MOSFET N-CH 600V TO-3PN

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