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F8113	文件：207.34 Kbytes Page：10 Pages	型号：IRF8113；Package：SO-8；Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Low Gate Charge ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems 文件：207.34 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
F8113	文件：272.21 Kbytes Page：10 Pages	型号：IRF8113；Package：SO-8；Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 文件：272.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
F8113	文件：1.7854 Mbytes Page：15 Pages	型号：IRF8113；Package：SO-8；IRU3146 EVALUATION BOARD USER GUIDE 文件：1.7854 Mbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
F8113
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多F8113供应商更新时间2025-8-8 9:11:00

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