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FQD630	文件：775.78 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQP630	文件：745.24 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET Features •9A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical19nC) •LowCrss(typical35pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQP630TSTU	文件：739.31 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET Features •9A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical19nC) •LowCrss(typical35pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF630	文件：765.36 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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