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IRF5210	文件：334.13 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF5210	文件：125.28 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5210L	文件：186.9 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5210L	文件：272.32 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRF5210LPBF	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5210LPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5210PBF	文件：194.51 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5210S	文件：186.9 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5210S	文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF5210SPBF	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5210SPBF	文件：318.93 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF5210SPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFG5210	文件：191.63 Kbytes Page：12 Pages	200V,Combination2N-2P-CHANNELHEXFETMOSFETTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFH5210PBF	文件：239.08 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFH5210PBF	文件：244.58 Kbytes Page：9 Pages	SecondarySideSynchronousRectification	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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更多F5210PBF供应商更新时间2024-5-22 16:12:00

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