| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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INFINEON/英飞凌模块 |
1030 |
24+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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6年
留言
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INFINEONIGBT |
550 |
2024+ |
原厂原装原包原标,本公司诚信经营16年口碑。 |
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8年
留言
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Infineon/英飞凌Module |
1262 |
24+ |
全新原厂原装,进口正品现货,需要请联系电话:18675544552(微信同号) |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
150 |
25+ |
只做原装,自家现货力挺实单! |
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15年
留言
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原装MODULE |
9835 |
25+ |
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热卖原装现货F3L150R07W2E3-B11 |
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17年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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11年
留言
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英飞凌专营模块 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
24+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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10年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
560 |
25+ |
只做原装现货 实力支持实单 |
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10年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT模块 |
1130 |
25+ |
原厂授权,一级代理IGBT模块,可控硅模块 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
30000 |
25+ |
代理原装正品,假一赔十 |
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5年
留言
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INFINEONN/A |
1000 |
2年内 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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14年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
15000 |
26+ |
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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13年
留言
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INFINEONIGBT |
6000 |
25+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
4000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)IGBT |
11429 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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F3L200R07PE4价格
F3L200R07PE4价格:¥1214.0678品牌:INF
生产厂家品牌为INF的F3L200R07PE4多少钱,想知道F3L200R07PE4价格是多少?参考价:¥1214.0678。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,F3L200R07PE4批发价格及采购报价,F3L200R07PE4销售排行榜及行情走势,F3L200R07PE4报价。
F3L300R07PE4资讯
F3L225R12W3H3B11BPSA1电力电子元件
F3L225R12W3H3B11BPSA1 IGBT 模块是一种重要的电力电子元件,广泛应用于各种领域,包括工业控制、电力传输和电动汽车等。
F3L300R07PE4中文资料Alldatasheet PDF
更多F3L100R07W2E3_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
F3L150R07W2E3_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
F3L30R06W1E3_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 600V 30A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
F3L50R06W1E3_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 600V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
F3L75R07W2E3_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
F3L80R12W1H3_B11制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:INFF3L80R12W1H3_B11 SP000908418 NPC1 IGB




























