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厂商型号

F2248

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

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2

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POLYFET

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2026-2-3 13:18:00

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F2248规格书详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

8Watts Single Ended

Package Style AC

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

产品属性

  • 型号:

    F2248

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全称:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IDT(Renesas收购)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
RENESAS(瑞萨)/IDT
2021+
TFQFN-16
499
询价
TI/德州仪器
QFN40
6698
询价
TI
23+
QFN-40
31599
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
询价
RENESAS
23+
BGAQFP
8659
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IDT
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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16+
QFN
2500
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24+
N/A
64000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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POLYFET
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
询价
IDT/RENESAS
25+
VFQFPN
24500
瑞萨全系列在售
询价