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厂商型号

F2247

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

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POLYFET

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2026-2-3 13:18:00

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F2247规格书详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios,

Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet™ process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

产品属性

  • 型号:

    F2247

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全称:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IDT(Renesas收购)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
RENESAS(瑞萨)/IDT
2021+
TFQFN-16
499
询价
TI/德州仪器
QFN40
6698
询价
TI
23+
QFN-40
31599
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
询价
RENESAS
23+
BGAQFP
8659
原装公司现货!原装正品价格优势.
询价
IDT
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
TI
16+
QFN
2500
进口原装现货/价格优势!
询价
24+
N/A
64000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
POLYFET
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
询价
IDT/RENESAS
25+
VFQFPN
24500
瑞萨全系列在售
询价