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PCM1792DB	文件：517.179 Kbytes Page：10 Pages	24BIT192KHZSAMPLINGADVANCEDSEGMENT,AUDIOSTEREODIGITALTOANALOGCONVERTER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PCM1792DB	文件：671.62 Kbytes Page：62 Pages	24-BIT,192-kHzSAMPLING,ADVANCEDSEGMENT,AUDIOSTEREODIGITAL-TO-ANALOGCONVERTER FEATURES 24-BitResolution AnalogPerformance: −DynamicRange: −132dB(9Vrms,Mono) −129dB(4.5Vrms,Stereo) −127dB(2Vrms,Stereo) −THD+N:0.0004% DifferentialCurrentOutput:7.8mAp-p 8×OversamplingDigitalFilter: −Stop-BandAttenuation:–130dB −Pass-BandRipp	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
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PCM1792DBR	文件：517.179 Kbytes Page：10 Pages	24BIT192KHZSAMPLINGADVANCEDSEGMENT,AUDIOSTEREODIGITALTOANALOGCONVERTER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PCM1792DBR	文件：672.52 Kbytes Page：61 Pages	AUDIOSTEREODIGITAL-TO-ANALOGCONVERTER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PCM1792DBR	文件：671.62 Kbytes Page：62 Pages	24-BIT,192-kHzSAMPLING,ADVANCEDSEGMENT,AUDIOSTEREODIGITAL-TO-ANALOGCONVERTER FEATURES 24-BitResolution AnalogPerformance: −DynamicRange: −132dB(9Vrms,Mono) −129dB(4.5Vrms,Stereo) −127dB(2Vrms,Stereo) −THD+N:0.0004% DifferentialCurrentOutput:7.8mAp-p 8×OversamplingDigitalFilter: −Stop-BandAttenuation:–130dB −Pass-BandRipp	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
TEA1792TS	文件：321.42 Kbytes Page：13 Pages	GreenChipsynchronousrectifiercontroller	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
UPA1792	文件：104.72 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHINGN-ANDP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1792isN-andP-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforMotorDriveapplicationofHDDandsoon. FEATURES •Lowon-resistance N-ChannelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.4A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.4A)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1792	文件：326.3 Kbytes Page：13 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.4A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.4A) RDS(on)3=42mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=3.4A) P-channelRDS(on)1=36mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−2.9A) RDS(on)2=54mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1792G	文件：326.3 Kbytes Page：13 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.4A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.4A) RDS(on)3=42mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=3.4A) P-channelRDS(on)1=36mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−2.9A) RDS(on)2=54mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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