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F1070	文件：38.23 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
FBR1070	文件：153.34 Kbytes Page：4 Pages	10AmpHighVoltageSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS [Fci] Features ■HIGHCURRENTCAPABILITYWITHLOWVF ■SUPERIORMETALPROCESS ■HIGHSURGEVOLTAGEANDTRANSIENTPROTECTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FBR1070	文件：139.17 Kbytes Page：2 Pages	10AmpHighVoltageSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features ■HIGHCURRENTCAPABILITYWITHLOWVF ■HIGHSURGEVOLTAGEANDTRANSIENTPROTECTION ■HIGHEFFICIENCYw/LOWPOWERLOSS ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
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F10U60DN	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD TO-220F	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司相关企业：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	Fairchild

型号：
F1070
制造商：
POLYFET
制造商全称：
Polyfet RF Devices
功能描述：
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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