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HVC133	文件：23.21 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC133A	文件：159.73 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD133	文件：37.99 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD133	文件：76.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD133A	文件：64.3 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVL133A	文件：63.76 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Feature •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVL133A	文件：150.78 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU133	文件：23.03 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVU133	文件：173.37 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU133	文件：32.38 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features ●Lowcapacitance.(C=1.0pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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产品属性

产品编号：
F-133P
制造商：
Triad Magnetics
类别：
变压器 > 电源变压器
系列：
Single Primary
包装：
散装
类型：
叠片磁芯
电压 - 初级：
115V
电压 - 次级（满负载）：
并行 15V，系列 30V
电流 - 输出（最大值）：
并行 100mA，系列 50mA
初级绕组：
单路
次级绕组：
双
中心抽头：
无
功率 - 最大值：
1.5VA
安装类型：
通孔
端接样式：
PC 引脚
大小 / 尺寸：
35.31mm 长 x 39.67mm 宽
高度 - 安装（最大值）：
30.15mm
电压 - 隔离：
1500Vrms
重量：
0.219 磅（99.34 g）
描述：
PWR XFMR LAMINATED 1.5VA TH

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