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FM430	文件：26.8 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM430M	文件：17.85 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FMM430	文件：347.18 Kbytes Page：5 Pages	LOWVfSCHOTTKYBATTIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FPN430	文件：48.01 Kbytes Page：4 Pages	PNPLowSaturationTransistor PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedforhighcurrentgainandlow saturationvoltagewithcollectorcurrentsupto2.0Acontinuous. SourcedfromProcessPB.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FPN430A	文件：48.01 Kbytes Page：4 Pages	PNPLowSaturationTransistor PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedforhighcurrentgainandlow saturationvoltagewithcollectorcurrentsupto2.0Acontinuous. SourcedfromProcessPB.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FRL430D	文件：47.46 Kbytes Page：6 Pages	2A,500V,2.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRL430H	文件：47.46 Kbytes Page：6 Pages	2A,500V,2.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRL430R	文件：47.46 Kbytes Page：6 Pages	2A,500V,2.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRM430	文件：49.17 Kbytes Page：2 Pages	SecondGenerationRadHardMOSFETResults	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FRM430D	文件：48.05 Kbytes Page：6 Pages	3A,500V,2.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25MΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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