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FSAV430QSCX	文件：909.54 Kbytes Page：12 Pages	LowVoltage1.1GHz,4-Channel,2:1VideoSwitch	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FSL430D	文件：46.85 Kbytes Page：8 Pages	2A,500V,2.50Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL430R	文件：46.85 Kbytes Page：8 Pages	2A,500V,2.50Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS430D	文件：46.38 Kbytes Page：8 Pages	3A,500V,2.70Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS430R	文件：46.38 Kbytes Page：8 Pages	3A,500V,2.70Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSYE430D	文件：58.2 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopeda seriesofRadiationHardenedMOSFETsspecifically designedforcommercialandmilitaryspaceapplications. EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects (SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,is combinedwith	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSYE430R	文件：58.2 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopeda seriesofRadiationHardenedMOSFETsspecifically designedforcommercialandmilitaryspaceapplications. EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects (SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,is combinedwith	Intersil Intersil Corporation	Intersil
GFC430	文件：99 Kbytes Page：1 Pages	NChannelPowerMOSFETwithlowRDS(on)	GSG Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
GME430R	文件：144.8 Kbytes Page：3 Pages	RedPointPro-2.4GHzGyroscopicPresentationMousewithLaserPointer	IOGEAR iogear	IOGEAR
GP430	文件：170.48 Kbytes Page：2 Pages	DiscCeramicCapacitors GeneralPurposeCapacitors TypeGgeneralpurposediscceramiccapacitorsareanidealchoiceforlowcost,smallsizeandlowtohighDCvoltage,generalpurpose,coupling,by-passandfilteringapplications. Highlights •Smallsize •Conformallycoated •Radialleads •Generalpurpose •L	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE

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产品属性

产品编号：
EVDN430MYI
制造商：
IXYS
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估和演示板及套件
包装：
盒
类型：
电源管理
功能：
FET 驱动器（外部 FET）
使用的 IC/零件：
IXDN430MYI
所含物品：
板
描述：
BOARD EVALUATION IXDN430MYI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	EVDN430MYI	IXYS	23+	TO-247TO-268	11353	全新原装	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	EVDN430MYI	IXYS/艾赛斯	22+	TO-247	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市创新迹电子有限公司	EVDN430MYI	IXYS/艾赛斯	22+	TO-247	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	EVDN430MYI	IXYS	25+	TO-247	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	EVDP610	IXYS	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	EVDP610	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市易讯博科技有限公司	EVDP610	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	EVDTUAB16B14	PANASONIC/松下	23+		13580	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	EVE1.0-125	HUDSON	2407+		30098	全新原装!仓库现货,大胆开价!	询价
北京京北通宇电子元件有限公司	EVE1.0-125	HUDSON	24+	con	10000	查现货到京北通宇商城	询价

更多EVDN430MYI供应商更新时间2025-5-29 14:03:00

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