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G5806	文件：73.44 Kbytes Page：1 Pages	SingleCellLi-IonBatteryLinearCharger	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
HM5806	文件：889.57 Kbytes Page：7 Pages	mobilepowersolutionIC	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HP5806	文件：725.28 Kbytes Page：25 Pages	PRECISIONBAROMETERANDALTIMETERSENSOR	HOPEHOPE Microelectronics CO., Ltd. 华普微电子深圳市华普微电子股份有限公司	HOPE
IRF5806	文件：218.25 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-20V) Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ●Ultra	IRF International Rectifier	IRF
IRF5806PBF	文件：203.83 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF5806TRPBF	文件：203.83 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
LV5806MX	文件：84.24 Kbytes Page：5 Pages	Step-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NTD5806N	文件：1.0293 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTD5806N	文件：84.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5806N	文件：140.45 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,33A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5806NG	文件：140.45 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,33A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5806NG	文件：84.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE5806	文件：59.17 Kbytes Page：3 Pages	NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27 Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE
NVD5806N	文件：84.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5806N	文件：260.589 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
P5806NVG	文件：1.08878 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P5806NVG	文件：228.6 Kbytes Page：8 Pages	N-&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PT5806	文件：203.27 Kbytes Page：11 Pages	18-A5-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PT5806	文件：227.11 Kbytes Page：13 Pages	18AOutputCurrent	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
PT5806A	文件：227.11 Kbytes Page：13 Pages	18AOutputCurrent	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1

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更多EVB-USB5806供应商更新时间2024-9-21 15:00:00

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