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TSB1184ACP	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184ACPQ	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184ACPR	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184ACPRO	文件：314.94 Kbytes Page：4 Pages	LowVcesatPNPTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184ACPS	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184CP	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184CPQ	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184CPR	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184CPRO	文件：314.82 Kbytes Page：4 Pages	LowVcesatPNPTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184CPS	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
EVAL-ADM1184
制造商：
AD
制造商全称：
Analog Devices
功能描述：
Evaluation Kit for ADM1184 ?±0.8% Accurate Quad Voltage Monitor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	EVAL-ADM1184EBZ	ADI/亚德诺	20+	EvaluationBoard	33680	ADI全新原装-可开原型号增税票	询价
深圳市易讯博科技有限公司	EVAL-ADM1184EBZ	AD	1824+	NA	16	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	EVAL-ADM1186-1MBZ	亚德诺	2022+	原厂原包装	6800	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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博速半导体（深圳）有限公司	EVAL-ADM1192EBZ	ADI/亚德诺	22+		66900	原封装	询价

更多EVAL-ADM1184供应商更新时间2025-5-28 19:07:00

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