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STUP582	文件：28.7 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:400Watts FEATURES: 400Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STUP582	文件：80.63 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STUS582	文件：80.08 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STUS582	文件：33.9 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR 500Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) *TypicalIRlessthen1mAabove10V	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
TMUX582FPWTSEP	文件：1.29195 Mbytes Page：30 Pages	TMUX582F-SEPRadiation-Tolerant60VProtected,Latch-UpImmune8:1MultiplexerwithAdjustableFaultThreshold 1Features •VIDV62/23607-01XE •Radiationhardened –Singleeventlatch-up(SEL)immuneto43MeVcm2/ mgat125°C –ELDRSfreeto30krad(Si) –Totalionizingdose(TID)RLATforeverywafer lotupto30krad(Si) –TIDcharacterizedupto30krad(Si) –Singleeventtransient(SET)characte	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TMUX582FPWTSEP	文件：1.30058 Mbytes Page：33 Pages	TMUX582F-SEPRadiation-Tolerant60VProtected,Latch-UpImmune8:1MultiplexerwithAdjustableFaultThreshold 1Features •VIDV62/23607-01XE •Radiationhardened –Singleeventlatch-up(SEL)immuneto43MeVcm2/ mgat125°C –ELDRSfreeto30krad(Si) –Totalionizingdose(TID)RLATforeverywafer lotupto30krad(Si) –TIDcharacterizedupto30krad(Si) –Singleeventtransient(SET)characte	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TMUX582F-SEP	文件：1.64971 Mbytes Page：39 Pages	TMUX582F-SEP±60-VProtected,Latch-upImmune8:1MultiplexerwithAdjustableFaultThresholdsinSpaceEnhancedPlastic 1Features •Radiationhardened •Singleeventlatch-up(SEL)immuneto43MeVcm2/ mgat125°C •ELDRSfreeto30krad(Si) •Totalionizingdose(TID)RLATforeverywaferlot upto20krad(Si) •TIDcharacterizedupto50krad(Si) •Spaceenhancedplastic •Supplyrange:8Vto22Vor±	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TMUX582F-SEP	文件：1.29195 Mbytes Page：30 Pages	TMUX582F-SEPRadiation-Tolerant60VProtected,Latch-UpImmune8:1MultiplexerwithAdjustableFaultThreshold 1Features •VIDV62/23607-01XE •Radiationhardened –Singleeventlatch-up(SEL)immuneto43MeVcm2/ mgat125°C –ELDRSfreeto30krad(Si) –Totalionizingdose(TID)RLATforeverywafer lotupto30krad(Si) –TIDcharacterizedupto30krad(Si) –Singleeventtransient(SET)characte	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TMUX582F-SEP	文件：1.30058 Mbytes Page：33 Pages	TMUX582F-SEPRadiation-Tolerant60VProtected,Latch-UpImmune8:1MultiplexerwithAdjustableFaultThreshold 1Features •VIDV62/23607-01XE •Radiationhardened –Singleeventlatch-up(SEL)immuneto43MeVcm2/ mgat125°C –ELDRSfreeto30krad(Si) –Totalionizingdose(TID)RLATforeverywafer lotupto30krad(Si) –TIDcharacterizedupto30krad(Si) –Singleeventtransient(SET)characte	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TSB582	文件：2.04553 Mbytes Page：34 Pages	200mAoutputcurrentwiththermalshutdownandoutputcurrentlimiter,3.1MHz,36V,BiCMOSdualoperationalamplifier Features •Widesupplyvoltage:4V-36V •Highoutputcurrent200mA •Rail-to-railoutput,lowrailinput •Gainbandwidthproduct:3.1MHz •Highslewrate:2V/μs •Internalthermalshutdown&outputcurrentlimiter •EnhancedRFnoiseimmunity •HightolerancetoESD:4kVHBM •Ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
EVAL-ADCMP582BCPZ
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估和演示板及套件
描述：
BOARD EVALUATION ADCMP582BCP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EVAL-ADCMP582BCPZ供应商更新时间2025-5-24 14:19:00

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