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ESD8551中文资料低电容 ESD 保护二极管,用于高速数据线数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

ESD8551

参数属性

ESD8551 封装/外壳为2-XDFN;包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-二极管;ESD8551应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 3.3VWM 16VC 2X2DFN

功能描述

低电容 ESD 保护二极管,用于高速数据线
TVS DIODE 3.3VWM 16VC 2X2DFN

封装外壳

2-XDFN

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 8:02:00

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ESD8551规格书详情

描述 Description

The ESD8551 ESD protection diodes are designed to protect high
speed data lines from ESD. Ultra−low capacitance and low ESD
clamping voltage make this device an ideal solution for protecting
voltage sensitive high speed data lines.

特性 Features

• Low Capacitance (0.30 pF Max, I/O to GND)
• Protection for the Following IEC Standards:IEC 61000−4−2 (Level 4)ISO10605 330 pF / 2 k? ±30 kV Contact
• Low ESD Clamping Voltage
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified andPPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant

应用 Application

• USB 3.0
• MHL 2.0
• eSATA

简介

ESD8551属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的ESD8551TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ESD8551

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Interface

    :eSATA 2.0

  • Number of Lines

    :1

  • Direction

    :Bidirectional

  • C Max (pF)

    :0.3

  • V(BR) Min (V)

    :5.5

  • VRWM Max (V)

    :3.3

  • IR Max (µA)

    :0.05

  • PPK Max (W)

    :-

  • Package Type

    :X2DFN-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON Semiconductor
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