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ESD8351HT1G中文资料ESD 抑制器/TVS 二极管 LOW CAP SNAPBACK ESD PROT数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

ESD8351HT1G

参数属性

ESD8351HT1G 封装/外壳为SC-76,SOD-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;ESD8351HT1G应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD323

功能描述

ESD 抑制器/TVS 二极管 LOW CAP SNAPBACK ESD PROT
TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD323

封装外壳

SC-76,SOD-323

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:14:00

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ESD8351HT1G规格书详情

简介

ESD8351HT1G属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的ESD8351HT1GTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

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  • 产品编号:

    ESD8351HT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    3.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    11.2V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    5A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    0.37pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-76,SOD-323

  • 供应商器件封装:

    SOD-323

  • 描述:

    TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD323

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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