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ESD8351HT1G数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

厂商型号 |
ESD8351HT1G |
参数属性 | ESD8351HT1G 封装/外壳为SC-76,SOD-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;ESD8351HT1G应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD323 |
功能描述 | ESD 抑制器/TVS 二极管 LOW CAP SNAPBACK ESD PROT |
封装外壳 | SC-76,SOD-323 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 21:04:00 |
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ESD8351HT1G规格书详情
简介
ESD8351HT1G属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的ESD8351HT1GTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。
技术参数
更多- 产品编号:
ESD8351HT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
3.3V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):
5.5V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
11.2V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
5A(8/20µs)
- 电源线路保护:
无
- 应用:
通用
- 不同频率时电容:
0.37pF @ 1MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-76,SOD-323
- 供应商器件封装:
SOD-323
- 描述:
TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD323
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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ESD抑制器/TVS二极管LOWCAPSNAPBACKESDPROT |
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