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ESD8351HT1G

ESD Protection Diodes Low Capacitance ESD Protection Diode for High Speed Data Line

The ESD8351 Series ESD protection diodes are designed to protect high speed data lines from ESD. Ultra−low capacitance and low ESD clamping voltage make this device an ideal solution for protecting voltage sensitive high speed data lines. Features • Low Capacitance (0.55 pF Max, I/O to GND)

文件:501.14 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD8351HT1G

ESD Protection Diodes

文件:286.97 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD8351HT1G

ESD8118MUTAG

文件:292.08 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD8351HT1G

ESD 抑制器/TVS 二极管 LOW CAP SNAPBACK ESD PROT

ONSEMI

安森美半导体

ESD8351HT1G

Package:SC-76,SOD-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD323

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ESD8351HT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    3.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    11.2V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    5A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    0.37pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-76,SOD-323

  • 供应商器件封装:

    SOD-323

  • 描述:

    TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD323

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更多ESD8351HT1G供应商 更新时间2026-1-31 22:59:00