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ESD851-Q1数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

ESD851-Q1

功能描述

Automotive 36V bidirectional ESD protection device in SOD323

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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ESD851-Q1规格书详情

描述 Description

ESD851-Q1 是一款双向 ESD 保护二极管,专为钳制 ESD 和浪涌等有害瞬变而设计。ESD851-Q1 的额定 ESD 冲击消散值高达 ±30kV(接触放电和空气间隙放电),这超过了 IEC 61000-4-2 国际标准中规定的最高级别(4 级)。对于浪涌,根据 IEC 61000-4-5 标准,该器件可以钳制峰值电流高达 6.5A 的 8/20µs 浪涌。

该器件还具有 4.3pF(典型值)IO 电容,因此能够保护数据线路。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。

ESD851-Q1 采用业界通用的引线式 SOD-323 封装,可轻松焊接。

特性 Features

ISO 10605(330pF,330Ω)ESD 保护:

±27kV 接触放电

±30kV 空气间隙放电



IEC 61000-4-5 浪涌保护:

6.5A (8/20µs)

钳位电压:6.5A 时为 71V (8/20µs)



IO 电容:4.3pF(典型值)

超低漏电流:10nA(最大值)

ESD 钳位电压:16A TLP 时为 56V

工业温度范围:-55°C 至 +150°C

符合 AEC-Q101 标准

业界通用 SOD-323 引线式封装 (2.65mm × 1.3mm)

技术参数

  • 制造商编号

    :ESD851-Q1

  • 生产厂家

    :TI

  • Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W)

    :400

  • IEC 61000-4-5 (A)

    :6.5

  • Vrwm (V)

    :36

  • Breakdown voltage (min) (V)

    :37.8

  • Bi-/uni-directional

    :Bi-directional

  • Number of channels

    :1

  • IO capacitance (typ) (pF)

    :4.3

  • Clamping voltage (V)

    :47

  • 封装

    :SOT (DYF)

  • 引脚

    :2

  • 尺寸

    :3.445 mm² 2.65 x 1.3

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