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ESD11B	文件：99.08 Kbytes Page：6 Pages	Transient Voltage Suppressors TheESD11BSeriesisdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromESD.Excellentclampingcapability,lowleakage,andfastresponsetimeprovidebestinclassprotectionondesignsthatareexposedtoESD.Becauseofitssmallsize,itissuitedforuseincellularphones,MP3players,d	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ESD11B5.0ST5G	文件：138.44 Kbytes Page：4 Pages	Transient Voltage Suppressors Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection TheESD11BSeriesisdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromESD.Excellentclampingcapability,lowleakage,andfastresponsetimeprovidebestinclassprotectionondesignsthatareexposedtoESD.Becauseofitssmallsize,itissuitedforuseincellularphones,MP3players,d	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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ESD11B5.0ST5G	文件：1.57518 Mbytes Page：3 Pages	1- Line Bi-directional TVS Diode Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±15kV Contactdischarge:8kV RoHSCompliant Applications FireWire Displayports MDDIports DigitalVisualInterface(DVI) Cellularhan	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
ESD11B5.0SBT5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 9.5VC SOT1123	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ESD11B5.0SMT5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：2-XFDFN，FCDFN 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 2FLIPCHIP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ESD11B5.0ST5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：0201（0603 公制）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 10VC 2DSN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

型号：
ESD11B
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 BI DIR MID CAP TVS
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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更多ESD11B供应商更新时间2024-4-27 14:30:00

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