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ESD5481MUT5G	文件：109.66 Kbytes Page：4 Pages	Transient Voltage Suppressors Micro.Packaged Diodes for ESD Protection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ESD5481MUT5G	文件：112.37 Kbytes Page：6 Pages	ESD Protection Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ESD5481MUT5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：0201（0603 公制）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 12.4VC 2X3DFN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

产品编号：
ESD5481MUT5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
5.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
12.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
2A（8/20µs）
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
12pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
2-X3DFN（0.6x0.3）（0201）
描述：
TVS DIODE 5VWM 12.4VC 2X3DFN

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