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ESD5481MUT5G

Transient Voltage Suppressors Micro.Packaged Diodes for ESD Protection

文件:109.66 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD5481MUT5G

ESD Protection Diodes

文件:112.37 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD5481MUT5G-TP

1-Line Bi-directional ESD DIODE

Features o Low operating voltage: 5V « Ultra low capacitance: 15pF(Typ) Ultra low leakage: nA level « Low clamping voltage o —IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +30kV Contact discharge: +30kV —IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) —IEC61000-4-5 (Lightning) 8A (8/20ps) o 2-pin lea

文件:1.99336 Mbytes 页数:4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

ESD5481MUT5G

Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5VWM 12.4VC 2X3DFN

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ESD5481MUT5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    12.4V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    2A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    12pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)

  • 描述:

    TVS DIODE 5VWM 12.4VC 2X3DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ESD5481MUT5G供应商 更新时间2025-12-3 18:08:00