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ESD5481MUT5G | Transient Voltage Suppressors Micro.Packaged Diodes for ESD Protection 文件:109.66 Kbytes 页数:4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
ESD5481MUT5G | ESD Protection Diodes 文件:112.37 Kbytes 页数:6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
1-Line Bi-directional ESD DIODE Features o Low operating voltage: 5V « Ultra low capacitance: 15pF(Typ) Ultra low leakage: nA level « Low clamping voltage o —IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +30kV Contact discharge: +30kV —IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) —IEC61000-4-5 (Lightning) 8A (8/20ps) o 2-pin lea 文件:1.99336 Mbytes 页数:4 Pages | TECHPUBLIC 台舟电子 | TECHPUBLIC | ||
ESD5481MUT5G | Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5VWM 12.4VC 2X3DFN | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号:
ESD5481MUT5G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
5V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):
5.7V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
12.4V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
2A(8/20µs)
- 电源线路保护:
无
- 应用:
通用
- 不同频率时电容:
12pF @ 1MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
0201(0603 公制)
- 供应商器件封装:
2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)
- 描述:
TVS DIODE 5VWM 12.4VC 2X3DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2450+ |
X3DFN2 |
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ONSEMI/安森美 |
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X3DFN-2 |
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ON |
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X3DFN2 |
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ON |
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X3DFN-2 |
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ON |
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X3DFN-2 |
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ON一级代理商 原装进口现货 |
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X3DFN2 |
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ON/安森美 |
17+ |
DFN |
1735 |
原装正品 |
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