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ESD1014MUTAG

Low Capacitance ESD Protection Array for High Speed Data Lines Protection

文件:97.88 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD1014MUTAG

Low Capacitance ESD Protection Array

文件:60.54 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD1014MUTAG

Package:10-UFDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 3.3VWM 11VC 10UDFN

ONSEMI

安森美半导体

EYGS1014ZLAD

Soft-PGS (Compressible Type) PGS with low thermal resistance

文件:94.73 Kbytes 页数:4 Pages

PANASONIC

松下

EYGS1014ZLDB

Soft-PGS (Compressible Type) PGS with low thermal resistance

文件:94.73 Kbytes 页数:4 Pages

PANASONIC

松下

F1014

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件:38.5 Kbytes 页数:2 Pages

POLYFET

产品属性

  • 产品编号:

    ESD1014MUTAG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    转向装置(轨至轨)

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    3.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    11V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    30A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    450W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    3.8pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    10-UFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    10-UDFN(2.6x2.6)

  • 描述:

    TVS DIODE 3.3VWM 11VC 10UDFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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