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EN5810A	文件：283.32 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transisitor -50V, -1A, Low VCE(sat) PNP Single CPH6	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FDD5810	文件：359.11 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD5810	文件：454.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelTrenchMOSFET60V,36A,27m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD5810	文件：310.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD5810	文件：763.21 Kbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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HI5810JIB	文件：423.85 Kbytes Page：12 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold Description TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successiveapproximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HI5810JIB-T	文件：762.41 Kbytes Page：13 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successive-approximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha5Vsupply.	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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