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EMT1DXV6T5规格书详情
描述 Description
The Dual PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT¿563 which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
• Lead−Free Solder Plating
• These are Pb-Free Devices
应用 Application
• Low VCE(SAT), 0.5 V
技术参数
- 型号：
EMT1DXV6T5
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
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