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EMT1DXV6T1G数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

EMT1DXV6T1G

功能描述

双 PNP 双极晶体管

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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EMT1DXV6T1G规格书详情

描述 Description

The Dual PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT¿563 which is designed for low power surface mount applications.

特性 Features

• Lead−Free Solder Plating
• These are Pb-Free Devices

应用 Application

• Low VCE(SAT), 0.5 V

技术参数

  • 型号:

    EMT1DXV6T1G

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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