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FAP-450	文件：347.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDA450LV	文件：2.40529 Mbytes Page：2 Pages	poweramplifiersmovingtothegreenzone	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
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更多EMBX-IP450-R供应商更新时间2024-9-24 13:00:00

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