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SSP12N10	文件：290.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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ST12N10D	文件：578 Kbytes Page：6 Pages	NChannelEnhancementModeMOSFET	STANSON Stanson Technology	STANSON
STD12N10L	文件：45.37 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL100V-0.12ohm-12ATO-252LOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNEL100V-0.12Ω-12ATO-252LOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.12Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■LOWTHRESHOLDDRIVE ■FORTHROUGH-HOLEVERSIONCONTACT SALESOFFICE APPLI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD12N10L	文件：1.01054 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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TSG12N10AT	文件：676.33 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelDTMOS	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司	WUMC
UT12N10	文件：150.63 Kbytes Page：4 Pages	12Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTCUT12N10isanN-channelmodePowerFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustumerswithminimumon-stateresistancebyextremelyhighdensecelldesign.Moreover,it‘sgoodathandinghighpowerandcurrent. FEATURES *RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UT12N10	文件：1.01036 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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