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NTD12N10	文件：298.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.165Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD12N10	文件：77.77 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET12Amps,100VoltsN?묬hannelEnhancement?묺odeDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD12N10	文件：148.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET12Amps,100Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD12N10G	文件：148.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET12Amps,100Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD12N10G	文件：1.01012 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHD12N10E	文件：79.16 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplication	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD12N10E	文件：298.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP12N10E	文件：72.09 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP12N10E	文件：371.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RFM12N10	文件：99.52 Kbytes Page：2 Pages	12A,80Vand100V,0.200Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.These	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	EMB12N10H	EMC/杰力	24+	DFN5X6	3810	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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