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PJD06N03	文件：145.46 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=6mΩ •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=9mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SPD06N03LA	文件：902.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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PJD06N03

文件：145.46 Kbytes

Page：4 Pages

25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=6mΩ •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=9mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

SPD06N03LA

文件：902.42 Kbytes

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N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	EMB06N03E	E	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多EMB06N03E供应商更新时间2025-7-22 14:02:00

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