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IMIC9530CY	文件：263.15 Kbytes Page：11 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfac	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
IMIC9530CY	文件：154.45 Kbytes Page：10 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfac	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
IMIC9530CYT	文件：263.15 Kbytes Page：11 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfac	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
IMIC9530CYT	文件：154.45 Kbytes Page：10 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfac	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
IRF9530	文件：566.6 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9530	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9530	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9530	文件：63.6 Kbytes Page：7 Pages	12A,100V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs 12A,100V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Allofthesepowe	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9530	文件：449.2 Kbytes Page：6 Pages	TRANSISTORS Features: ■P-ChannelVersatility ■CompactPlasticPackage ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EaseofParalleling ■ExcellentTemperatureStability	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530	文件：1.26984 Mbytes Page：3 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-100V ●ID=-13A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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