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EG300

HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT MINIATURE RECTIFIERS

HIGHVOLTAGEHIGHCURRENTMINIATURERECTIFIERS ●SMALLSIZEMOLDEDPACKAGES ●PRV1,000TO12,000VOLTS ●FASTRECOVERY(R_SERIES) ●AVALANCHECHARACTERISTICS

edi

Electronic devices inc.

EG3000B

恒功率高功率因数线性恒流高压LED驱动芯片; • 无需变压器和电解电容\r\n\r\n• 具有温度自动调节功能\r\n\r\n• 集成高压启动供电\r\n\r\n• 具有功率自动调节功能\r\n\r\n• 输出电流可调,最大达80mA\r\n\r\n• 芯片应用系统无EMI问题\r\n\r\n• 片间电流偏差<±5%\r\n\r\n• 效率:>90%\r\n\r\n• 功率因数>0.95\r\n\r\n• THD: <20%\r\n\r\n• 封装形式ESOP8;

EG3000B是一款恒功率高功率因数线性恒流高压LED驱动芯片,应用于LED 照明领域。该芯片通过独特的恒流控制专利技术,实现恒流精度小于±5%,输出电流可由外接电阻RCS调节。芯片具有高功率因数和低谐波失真。不随输入电压变化。可以实现AC180V至AC300V输入电压变化范围下,输入功率变化在5%以内。系统结构简单,具有过温、过压等各种保护功能,内置750V高压恒流MOS,提高产品的可靠性。方案无需变压器和电解电容。极少的外围元件,可节省电子元器件所占的空间。方案设计简易、调试、安装方便。高转换效率(EG3000B具有输出电流随温度自动调节的功能)。当温度过高系统将降低输出电流,以达到降低温度的效果,温度保护点可以通过引脚RTH端的外置电阻进行设置。EG3000B具有输入功率自动调节的功能,当输入电压过高时,将降低输出电流,电流降低的幅度通过外置电阻RD设置,以此保证输入功率0%),高PF值(大于0.95)。适合标准化、自动化、批量化生产。

Egoll

依歌智能

Egoll

EG3000BA

恒功率高功率因数线性恒流高压LED驱动芯片;

EG3000BA是一款恒功率高功率因数线性恒流高压LED驱动芯片,应用于LED照明领域。该芯片通过独特的恒流控制专利技术,实现恒流精度小于±5%,输出电流可由外接电阻RCS调节。芯片具有高功率因数和低谐波失真。\r\n\r\n EG3000BA具有输出电流随温度自动调节的功能。当温度过高系统将降低输出电流,以达到降低温度的效果,温度保护点可以通过引脚RTH端的外置电阻进行设置。\r\n\r\n EG3000BA具有输入功率自动调节的功能,当输入电压过高时,将降低输出电流,电流降低的幅度通过外置电阻RD设置,以此保证输入功率不随输入电压变化。可以实现AC180V至AC300V输入电压变化范围下,输入功率变化在5%以内。\r\n\r\n 系统结构简单,具有过温、过压等各种保护功能,内置700V高压恒流MOS,提高产品的可靠性。方案无需变压器和电解电容。极少的外围元件,可节省电子元器件所占的空间,方案设计简易、调试、安装方便高转换效率,高PF值(大于0.95),适合标准化、自动化、批量化生产。

Egoll

依歌智能

Egoll

EG3001

带SD功能单通道驱动芯片; • 源出峰值驱动电流达 1A 和吸入峰值驱动电流达 1.2A\n\n\n\n• 宽电压输入范围 + 3V - +30V\n\n\n\n• 输入端 IN 可承受最高为 + 30V 的输入电压\n\n\n\n• 低输入供电电流(逻辑 1 输入 - 200uA 典型值,逻辑 0 输入 - 0uA 典型值)\n\n\n\n• 独立的拉电流和灌电流输出结构可独立调节上升沿和下降沿时间\n\n\n\n• SD 引脚实现逐周关断控制,可用于短路或过流保护处理电路\n\n\n\n• 封装形式:SOP - 8;

EG3001 是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路,专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。电源电压范围宽 3V - 30V,静态功耗低仅 2mA,输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚,可用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。

EGmicroJingjing Microelectronics Co., Ltd

屹晶微电子屹晶微电子有限公司

EG3013

Half-Bridge Driver

Features Floatinghighsidedriverinbootstrapoperationto+100V,buildinbootstrapdiode Internalfixeddeadtimeof120nS Cross-conductionpreventionlogic 800mAsource/1000mAsinkoutputcurrentcapability DrivingN-channelMOSFETsandIGBTsinahalf-bridgeconfiguration H

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

EG3001

Single channel power MOSFET drive chip

EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd

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EG3002

Single channel MOSFET drive chip

EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd

屹晶微电子屹晶微电子有限公司

EG301

Roll code coding chip

EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd

屹晶微电子屹晶微电子有限公司

EG3012

HIgh-Power MOS tube driver chip

EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd

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EG3013

HIgh-Power MOS tube driver chip

EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd

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技术参数

  • 封装:

    ESOP8

  • 最大电流mA:

    100

  • 温度调节点:

    140℃

  • BV-MOS:

    500V

  • 调光类型:

    N

  • 产品特点:

    高PF高光效

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更多EG30供应商 更新时间2025-7-28 9:32:00