Half-Bridge Driver

Features  Floating high side driver in bootstrap operation to +100V, build in bootstrap diode  Internal fixed dead time of 120nS  Cross-conduction prevention logic  800mA source/1000mA sink output current capability  Driving N-channel MOSFETs and IGBTs in a half-bridge configuration  H

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HIgh-Power MOS tube driver chip

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EGMICRO

屹晶微电子

EG3013 大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片

  EG3013 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。\n   EG3013 高端的工作电压可达100V，Vcc 的电源电压范围宽11V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。 ·高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V\n ·内建死区控制电路\n ·自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n ·采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力\n ·专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动\n ·HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出\n ·LIN 输入通道低电平有效，控制低端LO 输出\n ·外围器件少\n ·静态电流小：4.5mA\n ·封装形式：SOP-8;

EGmicro

屹晶微电子

低压60V半桥驱动芯片

EG3013S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 80V，Vcc 的电源电压范围宽 4.5V - 30V，静态功耗低仅 4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 LIN 内建了上拉 5V 高电位和 HIN 内建了一个 15K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 80V\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• 采用半桥达林顿管输出结构具有 1A 大电流栅极驱动能力\n• 专用于无刷电机 N 沟道 MOS 管、IGBT 管栅极驱动\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 静态电流小：4.5mA\n• 封装形式：SOP - 8;

EGmicro

屹晶微电子