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IRF236	文件：69.14 Kbytes Page：7 Pages	8.1Aand6.5A,275Vand250V,0.45and0.68Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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IRK.236	文件：325.08 Kbytes Page：12 Pages	STANDARDRECOVERYDIODES Features ■HighVoltage ■ElectricallyIsolatedbyDBCCeramic(Al2O3) ■3500VRMSIsolatingVoltage ■IndustrialStandardPackage ■HighSurgeCapability ■GlassPassivatedChips ■ModulesusesHighVoltagePowerdiodesinfourBasicConfigurations ■SimpleMounting ■ULE78996approved	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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L236	文件：81.9 Kbytes Page：2 Pages	CommonCathodeFastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) Features ●InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ●Planarpassivatedchips ●Veryshortrecoverytime ●Extremelylowswitchinglosses ●LowIRM-values ●Softrecoverybehavior ●EpoxymeetsUL94V-0 ●VersionARisolatedandULregisteredE153432 Applications ●Rectifiersinsw	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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详细参数

型号：
EFM-236ML
功能描述：
Piezo Buzzer

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