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BD681	文件：109.23 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?좵owerSiliconNPNDarlingtons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD681	文件：103.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD676A/678A/680A/682 •DARLINGTON APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD681	文件：332.11 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD681	文件：114.05 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/AareNPNtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyareeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. PNPcomplementsareBD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD681	文件：230.32 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD681	文件：230.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD681	文件：99.98 Kbytes Page：2 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconNPNDarlingtons Thisseriesofplastic,medium-powersiliconNPNDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral-purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@Ic=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD675.675A,677,677A.679,679A,68	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD681	文件：382.93 Kbytes Page：12 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD681	文件：44.93 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD681	文件：182.31 Kbytes Page：4 Pages	NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ComplementaryBD676,676A,678,678A,680,680A,682&684	CDIL CDIL	CDIL
BD681	文件：230.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BD681A	文件：114.05 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/AareNPNtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyareeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. PNPcomplementsareBD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD681G	文件：87.33 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconNPNDarlingtons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD681G	文件：60.93 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerSiliconNPNDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD675,675A,677,677A,679,679A,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD681STU	文件：44.93 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BGY681	文件：19.91 Kbytes Page：5 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridhighdynamicrangeamplifiermoduledesignedforCATVsystemsoperatingoverafrequencyrangeof40to600MHzoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldme	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
C681	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C-681-K	文件：192.91 Kbytes Page：1 Pages	CoilsandChokesforgeneraluse	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默普莱默电子（芜湖）有限公司	PREMO
COP681C	文件：400 Kbytes Page：30 Pages	Microcontrollers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
COPC681	文件：400 Kbytes Page：30 Pages	Microcontrollers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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详细参数

型号：
ECK-DGL681MB
功能描述：
CAP CER 680PF 250V 20% RADIAL
RoHS：
否
类别：
电容器 >> 陶瓷
系列：
GL
标准包装：
4,000
系列：
-
电容：
1000pF 电压 -
额定：
50V
容差：
±10%
温度系数：
X7R
安装类型：
表面贴装，MLCC
工作温度：
-55°C ~ 125°C
应用：
自动
额定值：
AEC-Q200
封装/外壳：
0805（2012 公制）
尺寸/尺寸：
0.079 L x 0.047 W（2.00mm x 1.20mm）高度 -
座高（最大）：
-
厚度（最大）：
-
引线间隔：
-
特点：
-
包装：
带卷(TR)
引线型：
-

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ECK-DGL681MB供应商更新时间2024-6-14 14:30:00

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