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EMB2021	文件：59.53 Kbytes Page：2 Pages	SquareD-PowerLogicEnergyMeter,Basic200A	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
EME2021	文件：60.36 Kbytes Page：2 Pages	SquareD-PowerLogicEnergyMeter,EXTRange200A	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
EPC2021	文件：1.24614 Mbytes Page：6 Pages	80V(D-S)EnhancementModePowerTransistor	EPC-COEfficient Power Conversion Corporation. 高效变流技术高效变流技术公司	EPC-CO
EPC2021	文件：1.37056 Mbytes Page：6 Pages	EnhancementModePowerTransistor	EPCEPC 宜普宜普电源转换公司	EPC
F2021	文件：37.6 Kbytes Page：2 Pages	PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR? 7.5WattsSingleEndedPackageStyleAP HIGHEFFICIENCY,LINEAR,HIGHGAIN,LOWNOISE GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,M	Polyfet POLYFET	Polyfet
F2021ERW	文件：225.6 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,Compact20W,2:1InputRangeDC/DCConverters KeyFeatures: •20WOutputPower •2:1InputVoltageRange •1,500VDCIsolation •Single&DualOutputs •Efficiencyto86 •Compact1.6x2In.Case •-40°Cto+71°COperation •IndustryStandardPin-Out •LowestCost!!	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
F2021ERW	文件：217.73 Kbytes Page：2 Pages	F2000ERWSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
FB2021	文件：40.87 Kbytes Page：1 Pages	10BASE-TLOWPASSFILTERTRANSMITTER&RECEIVERWITHCOMMONCHOKES	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
FMS2021	文件：120.83 Kbytes Page：4 Pages	DC-6GHzSPDTWLANGaAsLowLossSwitch	FILTRONICFiltronic Compound Semiconductors Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
G2021	文件：98.86 Kbytes Page：1 Pages	RubberPush-InBumpers	Heyco Heyco	Heyco
GG2021	文件：454.12 Kbytes Page：29 Pages	SPECIFICATIONSFORLCDMODULE	JHEJewel Hill Electronic 巨豪电子有限公司	JHE
GP2021	文件：372.72 Kbytes Page：62 Pages	GPS12channelCorrelatorAdvanceInformation TheGP2021isa12channelC/AcodebasebandcorrelatorforuseinNAVSTARGPSandGLONASSsatellitenavigationreceivers.TheGP2021complementstheGP2015andGP2010C/AcodeRFdownconvertersavailablefromMitelSemiconductor. FEATURES ■12FullyIndependentCorrelationChannels ■1PPSUTC	Mitel Mitel Corporation	Mitel
GT-BGA-2021	文件：700.44 Kbytes Page：4 Pages	Easilyremovableswivelsocketlid	IRONWOODIronwood Electronics. Lronwood电子公司	IRONWOOD
GTL2021	文件：75.81 Kbytes Page：6 Pages	32-bitGTLterminatorwithoctalenables DESCRIPTION TheGTL202xseriesare32-bitbusswitcheswithGTLterminationandoctaloutputenables.TheGTL202xisintendedtoprovideGTLbusterminationinmulti-processorenvironments. Theenablepinsallowthesystemcontroltodisconnectthebustermination.Whenthebusswitchisenabled	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
GTL2021DGG	文件：75.81 Kbytes Page：6 Pages	32-bitGTLterminatorwithoctalenables DESCRIPTION TheGTL202xseriesare32-bitbusswitcheswithGTLterminationandoctaloutputenables.TheGTL202xisintendedtoprovideGTLbusterminationinmulti-processorenvironments. Theenablepinsallowthesystemcontroltodisconnectthebustermination.Whenthebusswitchisenabled	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
HAF2021	文件：92.07 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2021(L)	文件：115.46 Kbytes Page：11 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2021(L)_15	文件：115.46 Kbytes Page：11 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2021L	文件：92.07 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2021S	文件：92.07 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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