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HN4C05JU

MULTICHIPDISCRETEDEVICE(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONSFORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATIONS)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

NTMFS4C05N

PowerMOSFET

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NVD4C05N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.1mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·PowerSupplies ·InductiveLoads ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

NVD4C05N

SingleN?묬hannelPowerMOSFET

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更多EC4C05供应商 更新时间2025-7-28 20:12:00