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HAF2011	文件：34.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Features ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowe	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HAF2011	文件：121.97 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature. ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2011(L)_15	文件：137 Kbytes Page：11 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2011L	文件：121.97 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature. ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HAF2011S	文件：121.97 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature. ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2011S	文件：34.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Features ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowe	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HBO2011NIL	文件：42.51 Kbytes Page：2 Pages	LampsforPhotolithography Description PerkinElmerOptoelectronicsisaleadingmanufacturerofmercuryshortarclampsranginginoutputpowerfrom1000to8000watts.Theselampsareusedintheproductionofprintedcircuitboards,liquidcrystaldisplaysandsemiconductors.TheHSHSerieslampsareusedworldwideinmi	PerkinElmer PerkinElmer	PerkinElmer
HBO2011W	文件：42.51 Kbytes Page：2 Pages	LampsforPhotolithography Description PerkinElmerOptoelectronicsisaleadingmanufacturerofmercuryshortarclampsranginginoutputpowerfrom1000to8000watts.Theselampsareusedintheproductionofprintedcircuitboards,liquidcrystaldisplaysandsemiconductors.TheHSHSerieslampsareusedworldwideinmi	PerkinElmer PerkinElmer	PerkinElmer
HLMP-P2011	文件：329.69 Kbytes Page：11 Pages	StandardSMTandThroughHoleLeadBendOptionsforSubminiatureLEDLamps Description FlatTopPackage TheHLMP-PxxxSeriesﬂattoplampsuseanuntinted,nondiﬀused,truncatedlenstoprovideawideradiationpatternthatisnecessaryforuseinbacklightingapplications.Theﬂattoplampsarealsoidealforuseasemittersinlightpipeapplications. DomePackages	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HM2011	文件：941.94 Kbytes Page：14 Pages	4.7WAnti-cuttingMonoClassDAudioPowerAmplifier	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMCT2011G	文件：209.7 Kbytes Page：2 Pages	SCREWMACHINESOCKETS&TERMINALSTRIPS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
HMCT2011G	文件：114.17 Kbytes Page：1 Pages	SCREWMACHINESOCKETS&TERMINALSTRIPS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
HMCT2011T	文件：209.7 Kbytes Page：2 Pages	SCREWMACHINESOCKETS&TERMINALSTRIPS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
HMCT2011T	文件：114.17 Kbytes Page：1 Pages	SCREWMACHINESOCKETS&TERMINALSTRIPS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
HO-NP-2011	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 莱姆电子（中国）有限公司	LEM
HO-P-2011	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 莱姆电子（中国）有限公司	LEM
HSH2011NIEO	文件：42.51 Kbytes Page：2 Pages	LampsforPhotolithography Description PerkinElmerOptoelectronicsisaleadingmanufacturerofmercuryshortarclampsranginginoutputpowerfrom1000to8000watts.Theselampsareusedintheproductionofprintedcircuitboards,liquidcrystaldisplaysandsemiconductors.TheHSHSerieslampsareusedworldwideinmi	PerkinElmer PerkinElmer	PerkinElmer
I2011RU	文件：287.51 Kbytes Page：2 Pages	I2000RUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
I2011RW	文件：230.48 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-Miniature20WWide2:1InputRangeDC/DCConverters KeyFeatures: •20WOutputPower •2:1InputRange •Ultra-MiniatureCase •OptionalRemoteControl •1,600VDCIsolation •>800kHourMTBF •StandardPin-Out	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD

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详细参数

型号：
EB2011-CF
功能描述：
按钮开关 SPST ON-(ON) SOLDER LUG
RoHS：
否
制造商：
C&K Components
触点形式：
2 NC - 2 NO
开关功能：
ON ? OFF
电流额定值：
4 A 电压额定值
AC：
12 V to 250 V 电压额定值
DC：
12 V to 50 V
安装风格：
Through Hole
照明：
Illuminated
照明颜色：
None IP
等级：
IP 40
端接类型：
Solder
触点电镀：
Silver
执行器：
Square
可燃性等级：
UL 94 V-0

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