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INA823DR	文件：3.91482 Mbytes Page：40 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA823DT	文件：3.91482 Mbytes Page：40 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
IPM-C823	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IPM-L823	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IQXO-823	文件：1.221 Mbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRF823	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF823	文件：322.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowerRDS(ON) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowerinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF823	文件：140.22 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELEnhancement-ModeSiliconGateTMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs2and2.5AMPERESrDS(on)=3OHM450and500VOLTS rDS(on)=4OHM450VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
IRF823	文件：68.51 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF823	文件：381.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP

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详细参数

型号：
E823
制造商：
ECLIPSE MAGNETICS
功能描述：
MAGNET BUTTON
功能描述：
MAGNET BUTTON;
SVHC：
No SVHC(18-Jun-2012); External
Diameter：
25.4mm; External
Diameter：
25.4mm; Fixing Hole
Diameter：
4.8mm;
Height：
15.9mm; Magnet
Type：
Button;
Material：
Alnico; No. of Fixing
Holes：
1; Operating Temperature
Max：
550C; ;RoHS
Compliant：
NA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市凌旭科技有限公司	E8259WS-2	UMT-SZ	21+	MODULE	1709		询价
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