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STE38NB50	文件：382.83 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL500V-0.11Q-38A-ISOTOP N-CHANNEL500V-0.11Ω-38A-ISOTOPPowerMESH™MOSFET ■TYPICALRDS(on)=0.11Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■±30VGATETOSOURCEVOLTAGERATING ■100AVALANCHETESTED ■LOWINTRINSICCAPACITANCE ■GATECHARGEMINIMIZED ■REDUCEDVOLTAGESPREAD APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HI	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
STE38NB50	文件：280.94 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-0.11ohm-38A-ISOTOPPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,ex	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STE38NB50F	文件：89.49 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-0.11ohm-38A-ISOTOPPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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N-CHANNEL500V-0.11Ω-38A-ISOTOPPowerMESH™MOSFET ■TYPICALRDS(on)=0.11Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■±30VGATETOSOURCEVOLTAGERATING ■100AVALANCHETESTED ■LOWINTRINSICCAPACITANCE ■GATECHARGEMINIMIZED ■REDUCEDVOLTAGESPREAD APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HI

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

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更多E38NB50供应商更新时间2024-9-24 16:50:00

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