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36N50DA	文件：250.03 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORINISOTOPPACKAGE N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORINISOTOPPACKAGE ■HIGHCURRENTPOWERMODULE ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY(SEEIRFP450FORRATING) ■VERYLARGESOA-LARGEPEAKPOWERCAPABILITY ■EASYTOMOUNT ■SAMECURRENTCAPABILITYFORTHETWOSOURCETERMINALS ■EXTREMELYLOWRthJUNCT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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IXFC36N50P	文件：323.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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IXFH36N50P	文件：373.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=170mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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更多E36N50DA供应商更新时间2024-4-19 16:24:00

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