E180N10数据表ic资料供应商报价无锡固电-114ic电子网

首页 >E180N10>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
180N10B	文件：595.58 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
180N10N	文件：299.61 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM3Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FIR180N10PG	文件：3.98832 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR180N10RG	文件：3.65918 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
HRD180N10K	文件：1.64749 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
HRD180N10K	文件：989.45 Kbytes Page：9 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.
HRLF180N10K	文件：223.81 Kbytes Page：7 Pages	100AvalancheTested	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.
HRLO180N10K	文件：241.03 Kbytes Page：7 Pages	HighDenseCellDesign	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.
HRP180N10K	文件：921.24 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.
IXFE180N10	文件：78.29 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET-TMPowerMOSFET HiPerFETPowerMOSFET SingleDieMOSFET Features •ConformstoSOT-227Boutline •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance •	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	SingleMOSFETDie VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFN180N10	文件：84.32 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETSingleMOSFETDie HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackage •miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation •Dynamicdv/dtRating •AvalancheRated •FastIntrinsicRectifier •LowRDS(on) •LowDrain-to-TabCapacitan	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFN180N10	文件：144.35 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFR180N10	文件：33.22 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247 VDSS=100V ID25=165A RDS(on)=8mΩ trr≤250ns SingleMOSFETDie Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFR180N10	文件：330.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFX180N10	文件：368.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFX180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	SingleMOSFETDie VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFX180N10	文件：154.87 Kbytes Page：5 Pages	HiperFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTA180N10T	文件：300.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTA180N10T	文件：160.56 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMV™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •High	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

12 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳好佳好科技有限公司	E180N10	ST	1912+	模块	16850	绝对原装现货	询价
深圳市近平电子有限公司	E180N10	ST		模块	6000	原装正品现货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	E180N10	ST	23+	模块	3562		询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	E180N10	ST	23+	模块	362	全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势!	询价
鑫勃源（上海北京青岛）有限公司	E180N10	ST	23+	模块	18000		询价
深圳市博浩通科技有限公司	E180N10	ST	23+	原厂原装	1450	全新原装现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	E180N10	ST	23+	模块	5000	原装正品,假一罚十	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	E180N10	ST	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	E180N10	ST	2018+	module	6000	全新原装正品现货,假一赔佰	询价
深圳市维尔达电子有限公司	E180N10	ST	2023+	MODULE	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价

更多E180N10供应商更新时间2024-4-24 18:01:00

相关规格书

相关库存