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STE110NS20FD	文件：277.87 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL200V-0.022W-110AISOTOPMESHOVERLAY??PowerMOSFET nTYPICALRDS(on)=0.022Ω nEXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY n100AVALANCHETESTED nGATECHARGEMINIMIZED n±20VGATETOSOURCEVOLTAGERATING nLOWINTRINSICCAPACITANCE nFASTBODY-DRAINDIODE:LOWtrr,Qrr DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™ process,STMicroelec	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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nTYPICALRDS(on)=0.022Ω nEXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY n100AVALANCHETESTED nGATECHARGEMINIMIZED n±20VGATETOSOURCEVOLTAGERATING nLOWINTRINSICCAPACITANCE nFASTBODY-DRAINDIODE:LOWtrr,Qrr DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™ process,STMicroelec

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更多E110NS20FD供应商更新时间2024-6-8 15:35:00

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