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DXTN5840CFDB-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
DXTP5840CFDB-7	文件：416 Kbytes Page：7 Pages	40VPNPLOWSATURATIONTRANSISTORINU-DFN2020-3 Features BVCEO>-40V hFESpecifiedupto-3AforHighCurrentGainHoldUp LowProfile0.6mmHighPackageforThinApplications TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecifi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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DXTN5840CFDB-7

文件：100 bytes

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Package：3-UDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

DXTP5840CFDB-7

文件：416 Kbytes

Page：7 Pages

40VPNPLOWSATURATIONTRANSISTORINU-DFN2020-3

Features BVCEO>-40V hFESpecifiedupto-3AforHighCurrentGainHoldUp LowProfile0.6mmHighPackageforThinApplications TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecifi

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

产品属性

产品编号：
DXTN5840CFDB-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 30mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
U-DFN2020-3（B 类）
描述：
SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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